Un groupe de chercheurs du commissariat à l’énergie atomique (CEA) vient de développer une nouvelle technologie permettant de fabriquer des écrans micros-LED de très haute luminosité destinés aux systèmes d’affichage.
En effet, cette innovation s’appui sur l’utilisation des matrices à micro-LED, constituées à partir de nitrure de gallium (GaN), hybridées sur un circuit d’adressage en silicium. Elles permettent d’offrir une luminosité pouvant aller de 100 à 1 000 fois plus que celle délivrée par les micros-écrans actuels. Ainsi, un micro-écran de 2,5 cm peut afficher 2,5 millions de pixels, avec une luminance de 1 million de cd/m2 (candela par mètre carré) en monochrome et 100 Kcd/m2 en couleurs.
Ces écrans pourraient avoir des applications multiples, notamment, l’aéronautique, l’automobile, les lunettes à réalité augmentée, les appareils de projection …
Notons que cette technologie a été présentée à l’exposition Display week organisée en 2015 à San José aux Etats-Unis.
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